كاشف لأشعة جاما من وصلة هجين من كلوريد الحديد تترافينيل بورفيرين/ موجب سيليكون

25-11-2018 10:33

يهدف هذا البحث ٳلي دراسة تأثير أشعة جاما علي خصائص وصلة هجين ثنائية مصنوعة معمليا من أغشية رقيقة من (Au/Fe(III)ClTPP /p-Si/Al) بغرض استخدامها  ككاشف لأشعة جاما. تم دراسة منحنيات (التيار- الجهد) لهذه الوصلة فى حالتي الاظلام والاضاءة قبل وبعد التعرض لأشعة جاما. ولقد تم أيضا دراسة بعض الخصائص الضوئية لهذه الوصلة وكذلك منحنيات السعة- الجهد عند 1 ميجاهرتز قبل وبعد التعرض للإشعاع. أوضحت النتائج وجود آليتين للتوصيل، ويعتمد وجود أى منهم علي الجهد المطبق. فعند الجهود المنخفضة (الأقل من 0.6 فولت) تسود آلية التوصيل بالتيار المحدود بالشحنة الفراغية وعندما يصل الجهد ٳلي 0.6 فولت تسود آلية التوصيل بالإنبعاث الأيونى الحرارى. وقد أظهرت النتائج أيضا أنه بزيادة كمية الإشعاع يزداد كل من  نسبة التقويم، الجهد الحاجز،كثافة العيوب فى الطبقة الموجودة بين الأغشية وسمك منطقة نضوب الشحنة، ويقل عامل الجودة، تيار التسرب، السعة عند جهد مساو للصفر وكذلك كثافة حاملات الشحنة في منطقة نضوب الشحنة. وتعزى هذه التغيرات الى زيادة  كثافة العيوب فى الطبقة الموجودة بين الأغشية وأيضا زيادة فجوة الطاقة. أثبتت الدراسة إمكانية تطبيق الوصلة الهجين من (Au/Fe(III)ClTPP /p-Si/Al) ككاشف لأشعة جاما.